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02|积分定理:高斯定理与斯托克斯定理

上一篇:矢量微积分 · 返回系列目录 · 下一篇:电磁学的基本量 上一篇定义了散度和旋度,它们描述一个点附近的局部行为。本篇要回答:

怎样把每一点的局部变化,累积成一个有限区域边界上的可测量结果?

答案来自高斯散度定理和斯托克斯定理。这两个听起来高深的名字,其实骨子里都在讲述同一个极其简单的道理——内部细节的抵消。它们都可以追溯到我们中学时代就接触过的一维微积分基本定理(牛顿-莱布尼茨公式)。

1. 从一维微积分基本定理开始

把区间 [a,b] 分成很多小段:

a=x0<x1<<xn=b.

在很短的小段上,

f(xi+1)f(xi)f(xi)Δxi.

把所有小段相加,左边发生望远镜式消去:

i=0n1[f(xi+1)f(xi)]=f(x1)f(x0)+f(x2)f(x1)++f(xn)f(xn1)=f(b)f(a).

右边在分割无限细时变成积分,所以:

abf(x)dx=f(b)f(a).

关键现象是:相邻小区间共享的内部端点互相抵消,最后只剩整个区间的边界 a,b

2. 高斯散度定理

高斯定理把“体积内的散度”转换成“封闭表面的通量”。你可以把它想象成在计算一个大水池里凭空冒出多少水:水池内部无数个微小“泉眼”(散度)咕噜咕噜冒出来的水量总和,一定完全等于最后从水池表面漫出去的宏观总水量(通量):

V(A)dV=VAdS.

其中:

  • V 是三维区域;
  • V 是它的封闭边界;
  • dS=ndSn 是向外单位法向量。

为什么这个定理成立

根据散度的局部定义,对一个很小的体积 ΔVi 有:

(A)iΔVi(ΔVi)AdS.

把大区域 V 切成很多小体积并求和:

i(A)iΔVii(ΔVi)AdS.

想象用细密的网格把大水池切成无数个微小的立方体水箱。任意两个相邻小体积共享一个面。对于左边的小水箱来说,水是流出这个面的;但对右边相邻的小水箱来说,同样的水却是流进来的。一进一出,内部接触面上的水流效果完全抵消。因此,共享面上的两份通量为:

AnΔS+A(n)ΔS=0.

所有内部面都成对抵消,最后只剩大区域的外表面。令分割无限细,左边成为体积分:

V(A)dV,

右边成为外边界通量:

VAdS.

这就得到高斯散度定理。

直接验证一个例子

取向量场:

A=(x,y,z),

区域为单位立方体 0x,y,z1。散度为:

A=xx+yy+zz=3.

因此体积分为:

V3dV=3.

再看表面通量。x=1 面上 An=1,面积为 1,通量为 1x=0 面上的通量为 0y,z 两组面也各贡献 1。总通量为:

1+1+1=3,

与体积分完全一致。

3. 斯托克斯定理

斯托克斯定理把“曲面上的旋度通量”转换成“曲面边界上的环流”。打个比方,如果我们把曲面想象成一片布满微小漩涡的水面,内部的每个小漩涡(旋度)都在原地打转。当你把所有小漩涡的旋转效果加起来时,内部相邻漩涡的边缘水流相互摩擦抵消,最后水面上能实际观测到的,就只剩下沿着最外圈边缘的一股宏观大水流(环流):

S(×A)dS=SAdl.

曲面法向量和边界方向必须满足右手定则:右手四指沿边界积分方向弯曲时,大拇指指向选定的法向量。

为什么内部边界会消失

根据旋度的局部定义,对一个很小的面元 ΔSi 有:

(×A)iniΔSi(ΔSi)Adl.

把大曲面切成很多网格般的小面元,假想每个小面元上都有一个微小的齿轮或漩涡在按同方向旋转。相邻的两个面元会共享一条边,但在交界处,两个相邻漩涡的流动方向恰好是“顶牛”的——一个带动水流向上,另一个就带动水流向下。所以:

共享边Adl+反向共享边Adl=0.

所有内部边都抵消,最后只剩整个曲面的外边界 S。令面元无限小,就得到斯托克斯定理。

直接验证一个例子

取:

A=(y2,x2,0).

它的旋度为:

×A=(0,0,1).

Sxy 平面的单位圆盘,法向量为 ez。左边为:

S1dS=π.

边界单位圆可参数化为:

r(θ)=(cosθ,sinθ,0),0θ2π.

于是:

dl=(sinθ,cosθ,0)dθ,A=(sinθ2,cosθ2,0).

边界环流为:

SAdl=02πsin2θ+cos2θ2dθ=1202πdθ=π.

两边再次相等。

4. 把麦克斯韦方程从微分形式变成积分形式

如果说微分形式是用显微镜观察空间里极其微小的一个点,那积分形式就是退后一步,纵览整个宏观的物理系统。积分定理的价值恰好就在于充当了这两种视角间的桥梁:它们能把每一点难以直接体会的局部微观“泉眼”或“漩涡”,完美地转换成整个区域宏观可测量的大尺度物理定律。

电场高斯定律

从微分形式开始:

E=ρε0.

对体积 V 积分:

VEdV=1ε0VρdV.

左边使用高斯定理,右边定义为区域内总电荷 Q

VEdS=Qε0.

磁场高斯定律

从:

B=0

得到:

VBdS=0.

任意封闭表面的净磁通量都为零。

法拉第电磁感应定律

从:

×E=Bt

对一个固定曲面 S 积分:

S(×E)dS=SBtdS.

左边使用斯托克斯定理;固定曲面允许把时间导数移到积分号外:

SEdl=ddtSBdS.

定义磁通量

ΦB=SBdS,

就得到熟悉的形式:

E=SEdl=dΦBdt.

安培—麦克斯韦定律

从:

×B=μ0J+μ0ε0Et

对曲面积分并使用斯托克斯定理:

SBdl=μ0SJdS+μ0ε0ddtSEdS.

定义穿过曲面的电流

I=SJdS

和电通量

ΦE=SEdS,

得到:

SBdl=μ0I+μ0ε0dΦEdt.

5. 积分形式还能推回微分形式吗

可以,但需要积分关系对任意足够小的区域都成立。

以电场高斯定律为例:

VEdS=1ε0VρdV.

用高斯定理改写左边:

V(Eρε0)dV=0.

如果这对任意小体积 V 都成立,并且被积函数连续,那么被积函数只能处处为零:

Eρε0=0.

因此,积分形式与微分形式在通常的光滑条件下携带相同信息。

6. 本篇结论

两个积分定理共享同一种结构:

区域内部的导数积分=区域边界上的场积分.

高斯定理处理中间维度为三维体积、边界为二维封闭曲面;斯托克斯定理处理中间维度为二维曲面、边界为一维闭合曲线。第八篇会看到,它们都是广义斯托克斯定理的具体版本。

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